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Enhanced modulation bandwidth of GaAlAs double heterostructure lasers in high magnetic fields: Dynamic response with quantum wire effects

机译:高磁场中GaAlAs双异质结构激光器的增强调制带宽:量子线效应的动态响应

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摘要

The modulation bandwidth of GaAlAs double heterostructure (DH) lasers in high magnetic fields is measured. We found that the modulation bandwidth is enhanced by 1.4× with a magnetic field of 20 T. This improvement is believed to result from the increase of the differential gain due to two-dimensional carrier confinement effects in the high magnetic field (quantum wire effects). A comparison of the experimental results with a theoretical analysis indicates that the intraband relaxation time tauin of the measured DH laser in the range of 0.1 to 0.2 ps.
机译:测量了GaAlAs双异质结构(DH)激光器在高磁场中的调制带宽。我们发现,在20 T的磁场下,调制带宽增加了1.4倍。这种改善被认为是由于高磁场中二维载流子限制效应(量子线效应)引起的差分增益的增加所致。 。实验结果与理论分析的比较表明,测得的DH激光的带内弛豫时间tauin在0.1到0.2 ps的范围内。

著录项

  • 作者单位
  • 年度 1985
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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