机译:界面粗糙度,载波定位和波函数在C-平面(IN,GA)N / GaN量子阱中重叠:井宽,合金微观结构,结构不均匀性和库仑效应的相互作用
机译:m面InGaN / GaN量子阱电子结构的原子学分析:由于随机合金波动,在基态和激发态中的载流子局部化效应
机译:GaN / AlGaN量子阱中界面粗糙度对光致发光半峰全宽的影响
机译:合金波动和库仑效应对C平面GaN / Algan量子孔的电子和光学性能的影响
机译:In_xGa_(1-x)N合金和量子阱中波函数局部化效应的原子描述
机译:使用通过Gabor函数滤波的Lamb Wave信号进行结构损伤定位。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:GaN / AlGaN量子阱中界面粗糙度对光致发光半峰全宽的影响