机译:在AlSb / InAs / AlSb双势垒隧道结构中观察到大的峰谷电流比和大的峰电流密度
机译:具有高峰谷电流比的InAs / AlSb双势垒结构:高频微波设备的候选者
机译:GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs双势垒带间隧穿结构中的阱影响和势垒厚度研究
机译:新型AlInAsSb / InGaAs双势垒共振隧穿二极管,在室温下具有高峰谷电流比
机译:MBE成长技术,形成具有高峰电流密度的Si / SiGe谐振间隧穿二极管和高峰谷电流量
机译:新型InAs / AlSb / GaSb共振带间隧穿结构的物理学。
机译:基于II型InAs / GaSb / AlSb超晶格的高性能偏置可选三色短波/中波/长波红外光电探测器
机译:演示InAs / AlGaSb / InAs单势垒异质结构中大的峰谷电流比
机译:Inas / alsb / Inas谐振隧穿二极管界面的结构;杂志文章