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Maskless etching of silicon using patterned microdischarges

机译:使用图案化微放电对硅进行无掩模蚀刻

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摘要

Microdischarges in flexible copper-polyimide structures with hole diameters of 200 µm have been used as stencil masks to pattern bare silicon in CF4/Ar chemistry. The discharges were operated at 20 Torr using the substrate as the cathode, achieving etch rates greater than 7 µm/min. Optical emission spectroscopy provides evidence of excited fluorine atoms. The etch profiles show a peculiar shape attributed to plasma expansion into the etched void. Forming discharges in multiple hole and line shapes permits direct pattern transfer in silicon and could be an alternative to ultrasonic milling and laser drilling.
机译:孔直径为200 µm的柔性铜-聚酰亚胺结构中的微放电已被用作模版掩模,以在CF4 / Ar化学中对裸硅进行构图。放电以衬底为阴极,在20托下进行,蚀刻速率大于7 µm / min。发射光谱提供了激发氟原子的证据。蚀刻轮廓显示出归因于等离子体膨胀到蚀刻的空隙中的特殊形状。在多个孔和线形状中形成放电可以在硅中直接进行图案转移,并且可以替代超声铣削和激光钻孔。

著录项

  • 作者

    Sankaran R. M.; Giapis K. P.;

  • 作者单位
  • 年度 2001
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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