机译:具有较宽良好良好的载体/ GaN多量子阱的载体传输和光电性能,较宽且较窄的屏障
机译:改进了IngaN / GaN多量子孔的载流子传输和光电性能,具有更宽的良好良好的屏障和较窄的屏障
机译:势垒效应对InGaN / GaN多量子阱可见光发光二极管中空穴传输和载流子分布的影响
机译:具有阶跃多量子阱结构和空穴阻挡层的InGaN / GaN发光二极管中的载流子注入和效率下降
机译:InGaN / GaN单和多量子阱的皮秒载流子传输和捕获
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:通过InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的石墨烯透明导电电极以良好的电流扩散特性增强载流子传输和载流子捕获
机译:具有p型掺杂量子势垒的InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的空穴传输增强