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A study of Cr doping on the structural and electronic properties of ZnO: a first principles study

机译:Cr掺杂对ZnO的结构和电子性能的研究:第一个原理研究

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摘要

The central theme of nanotechnology to miniaturize devices has stimulated interest in diluted magnetic semiconductors (DMS). DMS that simultaneously exhibit magnetic and semiconducting behavior are capable of parting properties of two different function devices into one. In this research we present our first principles investigations related to the structural and electronic properties of, Cr doped zinc-blende (ZB) ZnO, DMS. These calculations are carried out using full potential linearized augmented plane wave plus local orbital (FP-L(APW+lo)) with generalized gradient approximations approach as implemented in WIEN2k code. In this study, the effect of Cr doping on lattice parameters, spin polarized electronic band structure, density of states (DOS) of ZnO is presented and analyzed in detail.
机译:纳米技术使设备小型化的中心主题激发了人们对稀释磁半导体(DMS)的兴趣。同时表现出磁行为和半导体行为的DMS能够将两种不同功能的设备的特性分开为一个。在这项研究中,我们介绍了与Cr掺杂的Zn-Blende(ZB)ZnO,DMS的结构和电子性能相关的第一个原理研究。这些计算是使用全势线性化的增强平面波加上局部轨道(FP-L(APW + lo))以及WIEN2k代码中实现的广义梯度近似方法来进行的。在这项研究中,铬的掺杂对晶格参数,自旋极化电子能带结构,ZnO的态密度(DOS)的影响被提出并进行了详细分析。

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