首页> 外文OA文献 >Struktur dan sifat optik filem nipis nanozarah ZnO terdop Ga
【2h】

Struktur dan sifat optik filem nipis nanozarah ZnO terdop Ga

机译:纳米包覆ZnO纳米粒子Ga的结构和光学性质

摘要

Filem nipis ZnO terdop Ga (ZnO:Ga) disediakan menggunakan teknik sol-gel dan salutan berputar. Ga didopkan kepada ZnO dengan peratusan berat (wt. %) yang berbeza iaitu 0, 2, 4, 6 dan 8 wt. %. Kesan pengedopan Ga ke atas struktur dan sifat optik filem nipis ZnO dikaji. Pencirian struktur filem nipis ini dilakukan menggunakan kaedah pembelauan sinar-X (XRD), mikroskop imbasan elektron pancaran medan (FESEM) dan mikroskop daya atom (AFM). Pencirian sifat optik filem nipis pula dilakukan menggunakan spektroskopi ultraungu cahaya nampak (UV-VIS) dan fotoluminesen (PL). Ujian XRD mengesahkan kesemua sampel berstruktur wurtzit. Saiz kristalit ZnO mengecil dengan peningkatan peratusan berat Ga seterusnya mengurangkan kekasaran permukaan filem. Pengedopan Ga menunjukkan peratus transmisi cahaya pada panjang gelombang 300 - 380 nm bertambah berbanding filem nipis ZnO tanpa dop. Nilai jurang tenaga optik, Eg dan keamatan PL filem nipis ZnO meningkat apabila pengedopan Ga dilakukan. Hasil kajian ini menunjukkan saiz kristalit yang lebih kecil memberi kesan ke atas sifat optik sampel pada peratus pengedopan Ga 0-6%. Pada peratus pengedopan Ga yang lebih tinggi, kesan transformasi struktur menjadi lebih dominan dalam mempengaruhi nilai Eg.
机译:使用溶胶-凝胶技术和旋涂法制备了ZnO涂层的Ga(ZnO:Ga)薄膜。 Ga被剥夺了具有不同重量百分比(wt。%)的0、2、4、6和8wt。%的ZnO。 %。研究了Ga吸附对ZnO薄膜结构和光学性能的影响。使用X射线衍射(XRD),场发射扫描电子显微镜(FESEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜结构进行表征。薄膜的光学特性的表征是使用紫外可见紫外(UV-VIS)和光致发光(PL)光谱进行的。 XRD测试确认了所有wurtzit结构的样品。 ZnO的晶体尺寸随Ga百分比的增加而减小,从而减小了薄膜的表面粗糙度。与没有掺杂的ZnO薄膜相比,Ga发射在300-380 nm波长处显示出一定百分比的透光率。当进行Ga沉积时,ZnO薄膜的光能隙,Eg和PL强度的值增加。这项研究的结果表明,较小的晶体尺寸会在Ga 0-6%的浓度下影响样品的光学性能。在较高的Ga占有率下,结构转变的影响在影响Eg值方面占主导地位。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号