机译:低温下的FET和HEMT-它们的特性并用于低噪声放大器
机译:从C波段到X波段的GaAs HEMT低噪声低温放大器,噪声温度为0.7-K / GHz
机译:在低温温度下N极GaN MIS-HEMTS中ID-VD扭结的观察
机译:FET和HEMT在低温下的性质及其在低噪声放大器中的应用
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:InalGaN / GaN HEmT在低温下的应用