机译:沟道工程n-MOSFET中器件性能和可靠性的扩展趋势
机译:不均匀界面缺陷分布对SiC MOSFET中场效应流动性的空间尺度依赖性影响
机译:带有缺陷的大型复合结构的可靠性预测
机译:带边缘栅极的第一HFSION /金属栅极N-MOSFET使用ALD-LA {SUB} 2O {SUB} 3帽层可扩展到EOT = 0.68nm,用于具有高性能和可靠性的HP 32 NM散装设备
机译:高度缩放CMOS和硅锗BICMOS技术的装置和电路可靠性预测建模
机译:计算实际结构的分形维数时对自相似性的有限空间比例进行校正
机译:RRAM器件中MOSFET可靠性和电阻开关的纳米级研究/
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。