机译:垂直GaN功率器件中的沟槽形成和拐角倒圆
机译:形成高度垂直沟槽,通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻用于垂直GaN电力装置
机译:沟槽尺寸对GaN垂直沟槽MOSFET器件性能的影响
机译:利用MSTS(硅的微结构转变)进行浅沟槽隔离的新型圆角工艺
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:垂直GaN电力装置应用的GaN衬底评价