机译:压电场对以非极性(1010)和半极性(112 2)取向制备的InGaN / GaN量子阱发光二极管的光电性能的影响
机译:使用沟槽侧壁电容研究的非极性GaN MOS接口的晶体取向依赖性过压电压
机译:通过氨分子束外延生长在极性,非极性和半极性GaN方向上InGaN膜中的铟和杂质掺入
机译:445nm InGaN蓝色激光的晶体学取向相关性能
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:利用数值模拟研究InGaN双量子阱蓝激光二极管的异常温度特性
机译:在非极性和半极性取向上生长的有序GaN和InGaN纳米柱的形貌和光学性质