机译:在Al2O3 / In0.53Ga0.47As界面处Ga-O签名与中间能隙状态之间的相关性
机译:处于ln_(0.53)Ga_(0.47)As / AI_2O_3界面时电子陷阱态的性质
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中界面陷阱的评估方法
机译:In0.53Ga0.47As衬底上HfO2 / Al2O3双层栅极电介质的电和电荷俘获特性
机译:碱卤化物/金属界面的激动的电子状态和超快动态电子捕获
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:对(NH4)(2)S钝化(22%,10%,5%或1%)的Al2O3 / In0.53Ga0.47As / InP系统的n型和p型钝化性能的系统研究In0.53Ga0.47As外延层
机译:电子和空穴俘获对al2O3 mIs(金属绝缘体半导体)器件辐射硬度的影响