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机译:双栅极发射器开关晶闸管的电气特性
Nam-Soo Kim; Eung-Rae Lee; Zhi-Yuan Cui; Yeong-Seuk Kim; Kyoung-Won Kim; Byeong-Kwon Ju;
机译:具有双沟槽栅电极和不同栅氧化层厚度的双沟槽栅发射极开关可控硅(DTG-EST)
机译:双侧沟道发射极开关可控硅特性:取决于浮动发射极的长度
机译:双栅极发射极开关晶闸管(DG-EST)的实验分析
机译:发射极开关晶闸管电气特性分析
机译:MOS门控发射极开关晶闸管(EST)。
机译:使用声发射传感器识别闸门关断晶闸管开关图案
机译:沟槽电极EST(发射极开关晶闸管电气特性变化的研究
机译:具有沟槽栅极的双通道发射极开关晶闸管
机译:具有发射极表面损耗补偿的MOS控制晶闸管-在各个晶闸管单元或晶闸管之间的栅电极下方的基极层中具有辅助发射极区
机译:具有确定的导通特性的双深度沟槽栅控MOS晶闸管
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