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【2h】

Origin of the improved mobility and photo-bias stability in a double-channel metal oxide transistor

机译：双通道金属氧化物晶体管中改进的移动性和光偏置稳定性的起源

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Hong Yoon Jung; Youngho Kang; Ah Young Hwang; Chang Kyu Lee; Seungwu Han; Dae-Hwan Kim; Jong-Uk Bae; Woo-Sup Shin; Jae Kyeong Jeong;
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年度 2014
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1. Origin of the improved mobility and photo-bias stability in a double-channel metal oxide transistor [J] . Hong Yoon Jung, Youngho Kang, Ah Young Hwang, Scientific reports. . 2014,第1期

机译：双通道金属氧化物晶体管中提高的迁移率和光电偏置稳定性的根源
2. Improvement in Photo-Bias Stability of High-Mobility Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors by Oxygen High-Pressure Annealing [J] . Park S.Y., Song J.H., Lee C.-K., IEEE Electron Device Letters . 2013,第7期

机译：氧高压退火改善高迁移率氧化铟锌薄膜晶体管的光电稳定性
3. Photo-bias instability of metal oxide thin film transistors for advanced active matrix displays [J] . Jae Kyeong Jeong Journal of Materials Research . 2013,第16期

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4. Effect of Gate Wet Reoxidation on Reliability and Channel Mobility of Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistors Fabricated on 4H-SiC (0001) [C] . Takuma Suzuki, Junji Senzaki, Tetsuo Hatakeyama, Silicon Carbide and Related Materials 2007 . 2009

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5. Understanding the Enhanced Mobility of Solution-Processed Metal-Oxide Thin-Film Transistors Having High-k Gate Dielectrics. [D] . Zeumault, Andre. 2017

机译：了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
6. Origin of the improved mobility and photo-bias stability in a double-channel metal oxide transistor [O] . Hong Yoon Jung, Youngho Kang, Ah Young Hwang, -1

机译：双通道金属氧化物晶体管中提高的迁移率和光电偏置稳定性的根源
7. A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11(2)over-bar0) face [O] . Yano Hiroshi, Hirao Taichi, Kimoto Tsunenobu, 2001

机译：（11（2）over-bar0）面上4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道迁移率大大提高的原因

Origin of the improved mobility and photo-bias stability in a double-channel metal oxide transistor

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