机译:用于研究OMVPE的过程参数及其与INP基板上的GA(0.47)的关系的过程参数及其与GA(0.47)的关系
机译:InP衬底上InAs / In_(0.53)Ga_(0.47)As多层中自组织量子点的结构和光致发光特性
机译:IN_(0.53)GA_(0.47)AS / INP基板上的原子层沉积TiO2 / Al2O3薄膜的界面性质
机译:通过分子束外延在InP衬底上生长的未掺杂In0.53Ga0.47As的电学性质
机译:在111 B InP衬底上生长的In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As层和In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As量子阱结构的光学性质通过分子束外延
机译:通过模板化晶粒生长制备的织构锶(0.53)钡(0.47)铌(2)氧(6)陶瓷的制备和电性能。
机译:电容等效厚度的边界阱提取以反映对300mm Si衬底上原子层沉积High-k / In0.53Ga0.47As的量子力学效应
机译:对(NH4)(2)S钝化(22%,10%,5%或1%)的Al2O3 / In0.53Ga0.47As / InP系统的n型和p型钝化性能的系统研究In0.53Ga0.47As外延层
机译:研究OmVpE工艺参数及其与In(K)In(0.53)as性能的关系。