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【2h】

Multilayer InSeTe van der Waals Heterostructures with an Ultrahigh Rectification Ratio and Ultrasensitive Photoresponse

机译：多层Insete Van der Waves异质结构，具有超高校正比和超敏光响应

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2. Multilayer InSe-Te van der Waals Heterostructures with an Ultrahigh Rectification Ratio and Ultrasensitive Photoresponse [J] . Qin Fanglu, Gao Feng, Dai Mingjin, ACS applied materials & interfaces . 2020,第33期

机译：多层inse-te van der waals异质结构，具有超高校正比和超声光响应
3. AsP/InSe Van der Waals Tunneling Heterojunctions with Ultrahigh Reverse Rectification Ratio and High Photosensitivity [J] . Wu Feng, Xia Hui, Sun Haiding, Advanced Functional Materials . 2019,第12期

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4. WS2/CsPbBr3 van der Waals heterostructure planar photodetectors with ultrahigh on/off ratio and piezo-phototronic effect-induced strain-gated characteristics [J] . Xu Qian, Yang Zheng, Peng Dengfeng, Nano Energy . 2019,第期

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8. Two-terminal floating-gate memory with van der Waals heterostructures for ultrahigh on/off ratio [O] . Quoc An Vu, Yong Seon Shin, Young Rae Kim, 2016

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