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【2h】

Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor

机译：INP / Ingaas双异质结双极晶体管的电子特性建模

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Berrichi Yamina; Ghaffour Kherreddine;
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年度 2015
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1. Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor [J] . Berrichi Yamina, Ghaffour Kherreddine International Journal of Electrical and Computer Engineering . 2015,第3期

机译：INP / Ingaas双异质结双极晶体管的电子特性建模
2. Simulation of electrical characteristics of InP double-heterojunction bipolar transistors with InGaAsSb base [J] . Yang-Hua Chang, Rong-Hao Syu Microelectronics reliability . 2010,第1期

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3. Comparative study on temperature-dependent characteristics of InP/InGaAs single- and double-heterojunction bipolar transistors [J] . Wei-Hsin Chen, Tzu-Pin Chen, Chi-Jhung Lee, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures . 2008,第2期

机译：InP / InGaAs单和双异质结双极晶体管的温度相关特性比较研究
4. Degradation of RF and Noise Characteristics of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors under High Reverse Base-Collector Voltage [C] . H. Wang, C. W. Ng International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits . 2009

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5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

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6. Multi-Physical Models of Bending Characteristics on the Double-Clamped Beam Switch for Flexible Electronic Devices Application [O] . Lei Han, Lijun Chen, Ruijie Qin, 2020

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