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机译:底物温度对喷雾热解技术制备的多晶ZnS薄膜生长的影响
D. Balamuruga; B.G. Jeyaprakas; R. Chandiramo;
机译:衬底温度对喷雾热解法制备多晶ZnS薄膜生长的影响
机译:雾化喷雾热解法在FTO衬底上制备Cu:ZnS和Al:ZnS薄膜
机译:喷雾热解技术在不同衬底温度下制备的氧化铁薄膜的光学特性
机译:铁掺杂对喷雾热解技术制备的纳米晶ZnSN03薄膜结构和微观结构性能的影响
机译:通过喷雾热解制备薄膜多晶钛氧半导体。
机译:钇对喷雾热解法制备的CdO薄膜结构形貌和传输性能的影响
机译:CDO的表征和NO2气体感测性能:喷雾热解技术制备的In2O3多晶薄膜
机译:铝基体上喷雾热解法生长的纳米晶CD0.5FE0.5S薄膜的光电化学性能
机译:喷雾热解技术在铝基板上生长纳米晶cd0.5fe0.5s薄膜的光电化学应用
机译:ZnSe基质,ZnSe基质的热处理方法,表观生长方法和该方法获得的薄膜
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