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The potential of III-V semiconductors as terrestrial photovoltaic devices

机译：III-V半导体作为地面光伏器件的潜力

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作者
Matteo Bosi; Claudio Pelosi;
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年度 2006
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1. The Potential of III-V Semiconductors as Terrestrial Photovoltaic Devices [J] . Matteo BOSI, Claudio PELOSI Progress in photovoltaics . 2007,第1期

机译：III-V半导体作为地面光伏设备的潜力
2. IMPATT devices based on group III-V compound semiconductors: prospects as potential terahertz radiators [J] . Aritra Acharyya, Aliva Mallik, Debapriya Banerjee, The HKIE Transactions . 2014,第3期

机译：基于III-V组化合物半导体的IMPATT器件：潜在的太赫兹辐射器的前景
3. Boron-doped III-V semiconductors for Si-based optoelectronic devices [J] . Journal of Semiconductors . 2020,第1期

机译：基于SI的光电器件的硼掺杂III-V半导体
4. Session 4 Quantum electronics and compound-semiconductor devices—High speed III-V semiconductor devices [C] . Lee C., Cirillo N. Jr. Electron Devices Meeting, 1985 International . -1

机译：专题4量子电子和化合物半导体器件—高速III-V半导体器件
5. Intersubband transitions in III-V semiconductors for novel infrared optoelectronic devices. [D] . Hossain, Mohammed Imrul. 2014

机译：用于新型红外光电设备的III-V半导体中的子带间过渡。
6. Mono- and Di-Pyrene 60Fullerene and 70Fullerene Derivatives as Potential Components for Photovoltaic Devices [O] . Piotr Piotrowski, Wojciech Mech, Kamila Zarębska, 2021

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7. Development of Contact Materials for Semiconductor Devices. Heavy Doping in III-V Compound Semiconductors. [O] . Eisuke Tokumitsu, Makoto Konagai 1994

机译：开发半导体器件的接触材料。 III-V复合半导体中重掺杂。
8. III-V Semiconductor Quantum Well Lasers and Related Optoelectronic Devices (OnSilicon). Oxide-Defined Semiconductor Quantum Well Lasers and Optoelectrnic Devices: Al-Based III-V Native Oxides [R] . Holonyak, N., Hsieh, K. C., Stillman, G. E. 1992

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