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【2h】

Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors

机译：X射线和电子辐射效应对CMOS图像传感器暗电流不均匀性和波动的比较

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Alexandre Le Roch; Cedric Virmontois; Philippe Paillet; Jeffrey H. Warner; Jean-Marc Belloir; Pierre Magnan; Vincent Goiffon;
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年度 2020
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1. Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal [J] . Alexandre Le Roch, Cédric Virmontois, Philippe Paillet, IEEE Transactions on Nuclear Science . 2020,第7期

机译：磷与砷：光电二极管掺杂元件在CMOS图像传感器辐射引起的暗电流和随机电报信号中的作用
2. Predicting the effect of radiation damage on dark current in a space-qualified high performance CMOS image sensor [J] . C. Crews, M.R. Soman, D-D. Lofthouse-Smith, Journal of instrumentation: an IOP and SISSA journal . 2019,第11期

机译：预测辐射损伤对空间合格的高性能CMOS图像传感器暗电流的影响
3. Proton and -Rays Irradiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in a 0.18- CMOS Image Sensor [J] . Martin E., Nuns T., Virmontois C., IEEE Transactions on Nuclear Science . 2014,第4aPart1期

机译：0.18- CMOS图像传感器中质子和射线辐照引起的暗电流随机电报信号
4. Comparison of proton and electron radiation effects on dark count rate in a CMOS SPAD sensor [C] . Marcello Campajola, Francesco Di Capua, Leonardo Gasparini Conference on X-Ray, Optical, and Infrared Detectors for Astronomy . 2020

机译：质子与电子辐射效应对CMOS Spad传感器暗计数率的比较
5. Differential Integrator Pixel Architecture for Dark Current Compensation in CMOS Image Sensors [D] . Mehri Dehnavi, Marzieh. 2015

机译：CMOS图像传感器暗电流补偿的差分积分器像素架构
6. Proton Radiation Effects on Dark Signal Distribution of PPD CMOS Image Sensors: Both TID and DDD Effects [O] . Yuanyuan Xue, Zujun Wang, Wei Chen, 2017

机译：质子辐射对PPD CMOS图像传感器暗信号分布的影响：TID和DDD效应
7. Identification of radiation induced dark current sources in pinned photodiode CMOS image sensors [O] . Goiffon Vincent, Virmontois Cédric, Magnan Pierre, 2012

机译：识别固定光电二极管CMOS图像传感器中的辐射感应暗电流源

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