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Crystalline Silicon Nitride Films on Si(111): Growth Mechanism, Surface Structure and Chemistry down to Atomic Scale

机译：Si（111）上的结晶硅氮化物膜：生长机理，表面结构和化学降至原子尺度

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Subhashis Gangopadhyay;
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年度 2020
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1. Mechanisms for Substrate-Enhanced Growth during the Early Stages of Atomic Layer Deposition of Alumina onto Silicon Nitride Surfaces [J] . Luca Lamagna, Claudia Wiemer, Michele Perego Chemistry of Materials: A Publication of the American Chemistry Society . 2012,第6期

机译：氧化铝在氮化硅表面上的原子层沉积早期阶段的底物增强生长机理
2. Crystalline silicon nitride passivating the Si(111) surface: A study of the Au growth mode [J] . Flammini R, Belkhou R, Wiame F, Surface Science . 2005,第2a3期

机译：结晶氮化硅钝化Si（111）表面：Au生长模式的研究
3. Atomic-scale analysis of fundamental mechanisms of surface valley filling during plasma deposition of amorphous silicon thin films [J] . Valipa MS, Sriraman S, Aydil ES, Surface Science . 2005,第2a3期

机译：非晶硅薄膜等离子体沉积过程中表面谷填充的基本机理的原子尺度分析
4. Modeling the growth of PECVD silicon nitride films for crystalline silicon solar cells using factorial design and response surface methodology [C] . Nybergh K., Marjamaki T., Skarp E. IEEE International Conference on Computer Science and Automation Engineering . 2011

机译：使用因子设计和响应面方法模拟晶体硅太阳能电池的PECVD氮化硅膜的生长
5. Growth of gallium nitride and aluminum gallium nitride thin films using conventional and pendeo-expitaxial growth processes on hydrogen(6)-silicon carbide(0001) and silicon(111) substrates. [D] . Gehrke, Thomas. 2000

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6. Electron Enhanced Growth of Crystalline Gallium Nitride Thin Films at Room Temperature and 100 °C Using Sequential Surface Reactions [O] . Jaclyn K. Sprenger, Andrew S. Cavanagh, Huaxing Sun, -1

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7. Microstructure and initial growth characteristics of the low temperature microcrystalline silicon films on silicon nitride surface [O] . Young-Bae Park, Shi-Woo Rhee 2001

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