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机译:外延单层氮化物中的直接带间隙交叉
C. Elias; P. Valvin; T. Pelini; A. Summerfield; C. J. Mellor; T. S. Cheng; L. Eaves; C. T. Foxon; P. H. Beton; S. V. Novikov; B. Gil; G. Cassabois;
机译:铜上100平方厘米单晶六方氮化硼单层的外延生长。
机译:六方氮化硼外延MS2(M = Mo和W)单层中的本征激子发射和谷Zeeman分裂
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机译:单层六边形氮化物上的氢气和水吸附(H-BN):第一原理计算
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机译:外延单层氮化硼中的直接带隙交叉
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机译:基质上硼氮化物和石墨烯单层的直接和顺序形成
机译:在基材上直接和顺序形成氮化硼和石墨烯单层
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