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【2h】

Ultra‐Steep Slope Impact Ionization Transistors Based on Graphene/InAs Heterostructures

机译：基于石墨烯/ INAS异质结构的超陡坡撞击电离晶体管

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作者
Yuan Liu; Jian Guo; Wenjing Song; Peiqi Wang; Vincent Gambin; Yu Huang; Xiangfeng Duan;
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年度 2020
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