机译:使用Al2O3 / SiO2钝化在Si衬底上的原位仙/ ALN / AL0.05GA0.95N高电子迁移率晶体管
机译:NbAlO / Al2O3叠层电介质通过原子紫菜沉积制备的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:用于71-76和81-86 GHz功率放大器的0.1-InAlN / GaN高电子迁移率晶体管:钝化和栅极凹进的影响
机译:具有原子层沉积功能的0.2- $ mu {rm m} $ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管$ {rm Al} _ {2} {rm O} _ {3} $钝化
机译:原子层沉积Al2O3钝化增强GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:纳米Al2O3或AlN颗粒和微米Al 2O3纤维增强镁合金AM60基混合纳米复合材料的开发
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响
机译:表面钝化对超薄AlN / GaN异质结构场效应晶体管中AlN势垒应力和散射机理的影响