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机译:双高能离子注入在金属表面层中形成碳化硅
Syouhei Taniguchi; Akiharu Kitahara; Shuichi Wakayama;
机译:通过双高能离子注入在金属表面层中形成碳化硅
机译:通过双重高能离子注入在金属表面层中形成碳化硅
机译:短脉冲注入碳离子过程中在靶材表面形成碳化硅和金刚石纳米颗粒
机译:利用统计-见る在过渡金属碳化物和金属表面形成的单层石墨的声子和电子结构
机译:激光雕刻的超薄过渡金属碳化物层用于能量存储和能量收集应用
机译:使用六边形碳化硅单晶从亚纳米厚表面层对比的低能电子通道对比度的定量观察
机译:不同硬质金属表层碳化钨颗粒的本征变形
机译:在衬底的表面上形成石墨烯层,包括逐渐加热衬底直到碳化硅膜的自由表面的第一行原子的硅升华,其中硅层的自由表面是阶梯状的
机译:制造用作开关的n型垂直MOSFET的碳化硅半导体结构的方法,包括在形成掩模层之后相对于碳化硅层的表面以指定角度进行离子注入。
机译:碳化硅半导体衬底,制造碳化硅半导体衬底的方法以及制造碳化硅半导体器件的方法,其中在基底衬底的与形成外延层的主表面相对的背面上形成凹陷抑制层
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