机译:粘结结构变化对GESE2中卵形阈值切换行为的影响
机译:债券结构变化对GESE2中卵阈值切换行为的影响(Vol 35,PG 151,2020)
机译:Ge_xSe_(1-x)硫族化物玻璃中Ge浓度对电子结构和Ovonic门限开关(OTS)器件特性的影响
机译:用于交叉点存储阵列中亚阈值读取操作的Ovonic门限开关(OTS)的设计空间探索
机译:在钒/五氧化二钒/钒薄膜结构中,阈值转换为电导量化状态。
机译:掺杂Sb对基于Ge-Se的Ovonic门限开关的电子结构和器件特性的影响
机译:ovonic阈值切换在SE的富GE X SE 1-X眼镜从原子的观点来看:均匀粘接机制的至关重要作用
机译:硒化锡薄膜中的Ovonic开关