首页> 外文OA文献 >Intrinsically p-type cuprous iodide semiconductor for hybrid light-emitting diodes

【2h】

Intrinsically p-type cuprous iodide semiconductor for hybrid light-emitting diodes

机译：用于混合发光二极管的本质上p型碘化物半导体

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
D. Ahn; J. D. Song; S. S. Kang; J. Y. Lim; S. H. Yang; S. Ko; S. H. Park; S. J. Park; D. S. Kim; H. J. Chang; Joonyeon Chang;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Cuprous halides semiconductors as a new means for highly efficient light-emitting diodes [J] . Doyeol Ahn, Seoung-Hwan Park Scientific reports. . 2016,第1期

机译：卤化山半导体作为高效发光二极管的新方法
2. Cuprous iodide - a p-type transparent semiconductor: history and novel applications [J] . Marius Grundmann, Friedrich-Leonhard Schein, Michael Lorenz, Physica status solidi . 2013,第9期

机译：碘化亚铜-一种p型透明半导体：历史和新颖的应用
3. Hybrid p-n junction light-emitting diodes based on sputtered ZnO and organic semiconductors [J] . Jong H. Na, M. Kitamura, M. Arita, Applied Physicsletters . 2009,第25期

机译：基于溅射的ZnO和有机半导体的混合p-n结发光二极管
4. Growth of n- and p-type ZnTe Semiconductors by Intrinsic Doping [C] . O. I. Olusola, M. L. Madugu, I. M. Dharmadasa Photovoltaic Science, Applications and Technology Conference . 2015

机译：通过固有掺杂的N-和P型ZnTe半导体的生长
5. The photophysics of ionic semiconductors at low temperatures: Silver bromide, silver iodide, and cuprous oxide. [D] . Rodney, Paul James. 1998

机译：低温下离子半导体的光物理性质：溴化银，碘化银和氧化亚铜。
6. Cuprous halides semiconductors as a new means for highly efficient light-emitting diodes [O] . Doyeol Ahn, Seoung-Hwan Park -1

机译：卤化亚铜半导体作为高效发光二极管的新手段
7. Cuprous halides semiconductors as a new means for highly efficient light-emitting diodes [O] . Doyeol Ahn, Seoung-Hwan Park 2016

机译：卤化山半导体作为高效发光二极管的新方法

Intrinsically p-type cuprous iodide semiconductor for hybrid light-emitting diodes

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅