机译:ZnO基纳米器件的反应离子刻蚀技术的发展
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:使用SF_6 / N_2气体混合物最大化反应离子蚀刻(RIE)参数的优化,以最大化硅的横向蚀刻速率:用Au部件蚀刻MEMS中的Si替换Si
机译:Cr掺杂Sb
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:增强基于ZnO的纳米器件在潮湿环境中的应用:O2 / H2等离子体抑制了无定形ZnO纳米线的自发反应
机译:用于硅蚀刻的低功率,低压反应离子蚀刻工艺,用于垂直和光滑壁,用于机动机动学应用
机译:利用聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)蚀刻掩模对二硫化钼(mos2)进行反应离子蚀刻的工艺开发。