首页> 外文OA文献 >Development of Reactive-Ion Etching for ZnO-Based Nanodevices
【2h】

Development of Reactive-Ion Etching for ZnO-Based Nanodevices

机译:基于ZnO的纳米切割的反应离子蚀刻的研制

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

We report on the systematic studies of reactive-ion etching (RIE) conditions for zinc oxide (ZnO) films with methane and hydrogen gases. The etching conditions were optimized to ensure high selectivity of ZnO to poly(methyl methacrylate) (PMMA), which is commonly used as an etching mask in nanolithography. We also show the feasibility of fabricating nanofeatures patterned onto a thin layer (
机译:我们报告了用甲烷和氢气的氧化锌(ZnO)膜的反应离子蚀刻(RIE)条件的系统研究。优化蚀刻条件以确保ZnO至聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的高选择性,其通常用作纳米线中的蚀刻掩模。我们还表明,在薄层上图案化的纳米斑颗粒的可行性(

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号