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Graphene-Based Semiconductor Heterostructures for Photodetectors

机译:基于石墨烯的半导体异质结构,用于光电探测器

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摘要

Graphene transparent conductive electrodes are highly attractive for photodetector (PD) applications due to their excellent electrical and optical properties. The emergence of graphene/semiconductor hybrid heterostructures provides a platform useful for fabricating high-performance optoelectronic devices, thereby overcoming the inherent limitations of graphene. Here, we review the studies of PDs based on graphene/semiconductor hybrid heterostructures, including device physics/design, performance, and process technologies for the optimization of PDs. In the last section, existing technologies and future challenges for PD applications of graphene/semiconductor hybrid heterostructures are discussed.
机译:由于其优异的电气和光学性能,石墨烯透明导电电极对于光电探测器(PD)应用具有高度吸引力。石墨烯/半导体杂交异质结构的出现提供了一种用于制造高性能光电器件的平台,从而克服石墨烯的固有局限性。在这里,我们根据石墨烯/半导体混合异性结构来审查PDS的研究,包括用于优化PD的设备物理/设计,性能和工艺技术。在最后一节中,讨论了现有技术和未来石墨烯/半导体杂化异质结构的PD应用的挑战。

著录项

  • 作者

    Dong Shin; Suk-Ho Choi;

  • 作者单位
  • 年度 2018
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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