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【2h】

Electrical Properties and Defect States in ZnO Substrates Irradiated by MeV Electron-beam

机译：由MEV电子束照射的ZnO基板中的电性能和缺陷状态

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Dong-Uk Lee; Hoo-Young Song; Dong-Seok Han; Seon-Pil Kim; Eun-Kyu Kim; Byung-Cheol Lee;
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年度 2010
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1. Impact of 100 MeV Ag~(7+) SHI irradiation fluence and N incorporation on structural, optical, electrical and gas sensing properties of ZnO thin films [J] . L. Balakrishnan, S. Gokul Raj, S. R. Meher, Applied Physics . 2015,第4期

机译：100 MeV Ag〜（7+）SHI辐照通量和N的掺入对ZnO薄膜的结构，光学，电学和气体传感性能的影响
2. Effect of 50MeV Li~(3+) irradiation on structural and electrical properties of Mn-doped ZnO [J] . Neogi S.K., Chattopadhyay S., Banerjee A., Journal of Physics. Condensed Matter . 2011,第20期

机译：50MeV Li〜（3+）辐照对Mn掺杂ZnO结构和电性能的影响
3. The electrical and optical properties of InAs irradiated with electrons (similar to 2 MeV): The energy structure of intrinsic point defects [J] . Brudnyi VN, Grinyaev SN, Kolin NG Semiconductors . 2005,第4期

机译：电子辐照的InAs的电和光学特性（类似于2 MeV）：本征点缺陷的能量结构
4. Dislocation related defect states in GaN irradiated with 1 MeV electron-beam [C] . Dong Uk Lee, Lim-Kyoung Ha, tin Soak Kim, International Conference of Nitride Semiconductors . 2008

机译：用1MeV电子束照射GaN中的脱位相关缺陷状态
5. Nanoengineering of ZnO Electrical and Optical Characteristics by Controlling Its Morphology and Defects via Reaction Kinetics, Fluid Dynamics, and Stoichiometry in Low-Pressure CVD Synthesis. [D] . Lim, Taehoon. 2016

机译：通过在低压CVD合成中通过反应动力学，流体动力学和化学计量控制其形态和缺陷来控制ZnO的电学和光学特性的纳米工程。
6. Electrical and photocatalytic properties of boron-doped ZnO nanostructure grown on PET–ITO flexible substrates by hydrothermal method [O] . Wei Wang, Taotao Ai, Qi Yu -1

机译：水热法在PET-ITO柔性基底上生长的掺硼ZnO纳米结构的电和光催化性能
7. Polarity-dependence of the defect formation in c-axis oriented ZnO by the irradiation of an 8 MeV proton beam [O] . Kazuto Koike, Mitsuaki Yano, Shun-ichi Gonda, 2018

机译：通过辐射8MeV质子梁的C轴取向ZnO缺陷形成的极性依赖性
8. The Properties of Defects Introduced in Silicon by 10-Mev Electron Irradiation [R] . Curtis, O. L., Bass, R. F., Germano, C. A. 1968

机译：10-mev电子辐照在硅中引入缺陷的性质

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