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Ion-Track Etched Templates for the High Density Growth of Nanowires of Bismuth Telluride and Bismuth Antimony Telluride by Electrodeposition

机译:用于碲化铋铋纳米线的高密度生长的离子轨道蚀刻模板和电沉积碲化肽碲化铋的高密度生长

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摘要

We report the electrochemical growth of high density arrays of n- type Bi2Te3 and p-type Bi0.5Sb1.5Te3 nanowires into ion-track etched polyimide-based Kapton membranes with a density of 5 x 109 wires/cm2. The average diameter of the nanowires is 80 nm with a length of 20 ?m, which is comparable to the pore size and thickness of the employed Kapton foils. The electroplating parameters and microstructural properties are reported for the nanowires whilst thermoelectric properties have been investigated for thin films of Bi2Te3 and Bi0.5Sb1.5Te3.
机译:我们报告高密度阵列的n型Bi2Te3和p型Bi0.5Sb1.5Te3纳米线的电化学生长到离子跟踪蚀刻的聚酰亚胺基Kapton膜,密度为5 x 109线/ cm2。纳米线的平均直径为80 nm,长度为20μm,与使用的Kapton箔的孔径和厚度相当。报告了纳米线的电镀参数和微观结构性质,同时对Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3薄膜的热电性质进行了研究。

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