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机译:TISI2薄膜中的C49至C54相变
R. W. Mann; L. A. Clevenger;
机译:三元合金化降低共溅射TiSi_2薄膜的C49-> C54相变温度
机译:应用边对边匹配模型了解(001)(Si)表面上的TiSi2(C49)薄膜的面内织构
机译:高温溅射和快速热退火形成C54 TiSi2 sub>薄膜
机译:TISI2薄膜C49至C54相变的结构,形态和动力学
机译:PZT薄膜中的应力和相变。
机译:薄膜:了解BiFeO3薄膜中的应变诱导相变(Adv。Sci。8/2015)
机译:应力下Tisi2薄膜的固态化合物相形成
机译:具有布线层的半导体器件,该布线层包括TISI2,C49或C54结构的薄膜
机译:具有具有c49-或c54-结构的tisiφ2φ膜的布线层的半导体器件及其制造方法
机译:用于集成电路器件制造的TiSi2的C54相形成方法
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