机译:LDMOS晶体管中的周期性沟槽区域:具有高击穿电压的新型可靠结构
机译:具有法拉第屏蔽的RF LDMOS功率晶体管的漏源击穿电压分析模型
机译:深漏区Si / SiC异质结LDMOS的击穿点转移理论
机译:LDMOS器件的击穿电压对其LDD区域的结构和掺杂分布的依赖性研究
机译:SF6及其混合物在同轴圆柱体间隙中的击穿电压-时间特性,特别参考陡峭的前沿脉冲电压,直至斩波至100 ns。
机译:具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
机译:采用有效基板电压法用任意漂移掺杂谱的SOI LDMOS的分析击穿模型
机译:任意截面圆柱形空气流动层流区域传热计算方法(包括大温差和辐射冷却)