机译:由二元过渡金属氧化物组成的电阻式随机存取存储器中灯丝分布与电阻切换特性之间的相关性
机译:TiW势垒层厚度依赖性过渡从基于ZrO_2的电阻切换随机存取存储器件中的电化学金属化存储过渡到价变化存储的影响
机译:非易失性多级电阻开关存储单元:基于过渡金属氧化物的电路
机译:纳米尺度的过渡金属氧化物抗性非易失性存储器(R-RAM)的研究
机译:基于过渡金属钙钛矿氧化物电阻转换的非易失性存储器
机译:自底向上的有序金属/氧化物/金属纳米点在基板上的合成用于纳米级电阻式开关存储器
机译:由二元过渡金属氧化物组成的电阻随机存取存储器中灯丝分布与电阻转换特性的相关性