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Comment on “Deep ultraviolet and near infrared photodiode based on n-ZnO/p-silicon nanowire heterojunction at low temperature” Appl. Phys. Lett. 94, 013503 (2009)

机译：基于低温N-ZnO / P硅纳米线异质结的“深紫色和近红外光电二极管”Appl。物理。吧。 94,013503（2009）

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Yow-Jon Lin;
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年度 2009
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