机译:碳助熔剂通过热分解在6H-SiC(000-1)上生长石墨烯层
机译:低温下电子回旋共振化学气相沉积在Si(100)上生长SiC膜的作为载气的Ar和H_2的比较研究
机译:通过丙烷化学气相沉积在6H-SiC和3C-SiC / Si上直接生长几层石墨烯
机译:快速热化学气相沉积法在Si上生长β-SiC和在β-SiC上生长多晶硅
机译:使用大气压化学气相沉积进行石墨烯生长和加工的研究。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:用乙烯化学气相沉积法研究生长压力对4H-siC衬底上外延石墨烯的影响
机译:金刚石薄膜上碳纳米管生长的三种不同化学气相沉积(CVD)技术的比较研究。