机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,采用附加栅极进行高压开关应用
机译:用于大功率开关和数字逻辑应用的低阈值电压AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的设计
机译:氯基栅极凹槽和鳍片宽度调制对AlGaN / GaN鳍片高电子迁移率晶体管的阈值电压的耦合效应
机译:AlInN / GaN高电子迁移率晶体管中与温度和偏置有关的栅极泄漏
机译:用于开关应用的高压GaN-on-Si场效应晶体管
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:使用沟槽结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管用于高压开关应用