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机译:基于厚埋氧化物层的CMUT制造
Mario Kupnik; Srikant Vaithilingam; Kazutoshi Torashima; Ira O. Wygant; Butrus T. Khuri-Yakub;
机译:介电堆栈和厚埋氧化物的AlAs层的大面积氧化
机译:基于氮化物至氧化物的晶圆键合工艺的实用CMUT制造
机译:具有薄Al_2O_3 / SiO_2掩埋氧化物层的键合GeOI衬底的制备
机译:基于厚掩埋氧化物层的CMUT制造
机译:X射线表征基于氧化euro的自旋滤波器隧道结中的掩埋层和界面。
机译:cmUT制造基于一个厚的掩埋氧化层
机译:用于热隔离的厚二氧化硅层的制造
机译:用于金属氧化物半导体场效应晶体管器件的双栅电极的制造涉及在一个区域上沉积具有高介电常数的薄层或纯氧化物层而在另一区域上沉积厚的氧化物层
机译:使用多孔硅或多孔氧化硅的具有厚牺牲层的多层晶片及其制造方法
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