机译:用于ESD电路仿真的新型GGNMOS宏模型
机译:在0.5μmBCD工艺中使用P基层提高GGNMOS的鲁棒性以进行静电放电保护
机译:DC和TLP应力条件下BCD ESD保护元件的实验和仿真分析
机译:用于40V BCD的GGNMOS上的ESD仿真
机译:封装芯片系统中带电设备模型esd事件的预测性瞬态电路仿真。
机译:枯草芽孢杆菌cydABCD操纵子的调节剂:鉴定负调节剂CcpA和正调节剂ResD
机译:深层微米ESD GGNMOS布局设计与优化
机译:静电放电(EsD)模拟器实验(用于EsD仿真电路的某些开关/继电器的测试)