机译:原位降解对GaN的绿色发光二极管原子结构和光学性质的影响
机译:V形凹坑对GaN的绿色发光二极管光学性质的影响
机译:纳米级V形凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:局域表面等离子体耦合的基于GaN的绿色发光二极管的增强的发射和调制特性
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:V-Pits Embedded Ingan / GaN超晶格对GaN的绿色发光二极管光学和电性能的影响(物理SOLVI A 5/2017)