机译:原子层沉积HFO2 / SiO2多堆结构界面偶极调制的热稳定性
机译:具有SiO2 / HfO2堆叠栅氧化物结构的双材料双栅极TFET的电学特性的二维分析建模
机译:通过等离子体增强原子层沉积来研究高k ZrO2 / SiO2堆叠栅极绝缘体的界面特性,以提高insnzno薄膜晶体管的性能
机译:使用像差校正杆的HFO2 / SiO2 / Si栅极堆的原子和电子结构研究
机译:低能离子散射研究硒化铋表面的原子和电子结构。
机译:等离子体增强原子层沉积法原位形成SiO2中间层的HfO2 / Ge叠层的界面电和能带对准特性
机译:与HfO2 / siO2 / p-siHfO2 / siO2 / p-si栅极堆叠相关的带对准问题