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Erratum: “Charge trapping at the MoS2-SiO2 interface and its effects on the characteristics of MoS2 metal-oxide-semiconductor field effect transistors” Appl. Phys. Lett. 106, 103109 (2015)

机译：错误：“在MOS2-SiO2接口处的电荷捕获及其对MOS2金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的特性的影响”Appl。物理。吧。 106,103109（2015）

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Yao Guo; Xianlong Wei; Jiapei Shu; Bo Liu; Jianbo Yin; Changrong Guan; Yuxiang Han; Song Gao; Qing Chen;
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年度 2016
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