机译:评论“压电偏振和非阵列重组对(0001)面部GaN-IngaN光伏器件性能”的影响“Appl。物理。吧。 96,051107(2010)
机译:评论“压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN-InGaN光伏器件性能的影响” [Appl。物理来吧96,051107(2010)]
机译:压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN / InGaN光伏器件性能的影响
机译:压电极化和非辐射复合对(0001)面GaN / InGaN光伏器件性能的影响
机译:勘误表:完整的单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性能 附录。物理来吧96012907(2010)
机译:错误:“施用ZnO(0001)边界(0001)边界”应用中的正温度系数电阻性。物理。吧。 96,202104(2010)