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机译:减小薄膜厚度和C轴取向的Ba-铁氧体薄膜的形成机理,无底层。
Atsushi Kominato; Koichi Kakizaki; Nobuyuki Hiratsuka;
机译:降低厚度的c轴取向无底层Ba-铁氧体薄膜的形成机理
机译:减小C轴取向的薄膜厚度和形成机制,无底层薄膜
机译:降低含Ba丰富的La-Co取代的Ba铁氧体薄膜的膜厚度
机译:Al-加入对非晶氧化铝(Alpha-Alo)沉积C轴取向Ba-铁氧体薄膜的影响
机译:用于微波应用的C轴取向钡铁氧体薄膜/厚膜。
机译:C轴的体外溶解和力学行为优先取向脉冲激光沉积制造的羟基磷灰石薄膜
机译:用富含Ba的底层降低La-Co取代的Ba-铁氧体薄膜的膜厚度。
机译:在In 2 Sub> O 5 Sub> GE 3 Sub> O 11 Sub>薄膜> 3 Sub>氧化物
机译:C轴定向铁电薄膜的MOCVD和退火工艺
机译:在In2O3氧化物上MOCVD选择性沉积C轴取向PB5GE3O11薄膜
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