机译:通过化学气相沉积生长并转移到氧化硅衬底上的石墨烯的纳米级摩擦学
机译:化学气相沉积生长石墨烯和少量层石墨烯转移到绝缘SiO_2 / Si衬底上的各种方法的比较
机译:通过化学气相沉积生长石墨烯的比较表征,转移到非导电基板,并使用X射线光电子和拉曼光谱进行AR离子轰击
机译:通过常压化学气相沉积(CVD)在处理过的铜膜上生长的高质量可转移石墨烯
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:CVD石墨烯上等离子增强化学气相沉积法制备的无转移反型石墨烯/硅异质结构
机译:由化学气相生长的石墨烯的量子霍尔电阻标准 在碳化硅上沉积