机译:理想原子层沉积Al
机译:在原子层沉积的HfAlOx栅极电介质中通过调制Al2O3成分来改善后栅极FDSOI隧道场效应晶体管(TFET)的性能
机译:使用原子层沉积的Al2O3 / ZnO合金沉积的RF MEMS电容开关的替代介电膜
机译:具有原子层的高分子膜的安全方面沉积Al2O3薄层(PPT)
机译:沉积在Ag(100)上的亚单层和多层Ag膜的扫描隧道显微镜研究(银膜,动力学粗糙化,均质性)。
机译:理想原子层沉积Al2O3隧道开关层改善了掺Mg的LiNbO3薄膜的铁电性能
机译:用四(乙基甲基氨基)和四甲基(二甲基氨基)前体沉积原子层铁电性能的比较研究。和四(二甲基氨基)前体沉积HF0.5ZR0.5O2薄膜
机译:用于射频mEms电容开关的替代介电薄膜,使用原子层沉积的al2O3 / ZnO合金沉积