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机译:基于GE2SB2TE5相变材料可重新配置的接近IR元表面
Alexej V. Pogrebnyakov; Jeremy A. Bossard; Jeremiah P. Turpin; J. David Musgraves; Hee Jung Shin; Clara Rivero-Baleine; Nikolas Podraza; Kathleen A. Richardson; Douglas H. Werner; Theresa S. Mayer;
机译:基于GE2SB2Te5相变材料的全电介质元表面近红外切换(VOL 49,PG 110,2020)
机译:可调谐窄带短波红外吸收器由纳米磁盘的元表面和相变材料Ge2sb2te5层制成
机译:基于相变材料作为多功能设备的可重新配置平台的MEDasurface
机译:使用相变硫族化物Ge2Sb2Te5可重构全介电超表面
机译:基于硫属化物的新型相变材料,可用于潜在的数据存储应用。
机译:基于相变材料的超表面作为多功能设备的可重构平台
机译:基于GE-SB-TE相变材料的元敷料进展
机译:基于相变材料的可重构天线
机译:使用Metasurface和相变材料的高效光学器
机译:使用金属表面和相变材料的高效光学限幅器
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