An Improved 4H-SiC MESFET with a Partially Low Doped Channel

机译：具有部分低掺杂通道的改进的4H-SiC MESFET

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Hujun Jia; Yibo Tong; Tao Li; Shunwei Zhu; Yuan Liang; Xingyu Wang; Tonghui Zeng; Yintang Yang;
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年度 2019
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1. Improved double-recessed P-buffer 4H-SiC MESFETs with partial heavy doped channel [J] . Jia Hujun, Yang Zhihui, Wu Qiuyuan, Materials science in semiconductor processing . 2016,第Null期

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2. Improved performance of 4H-SiC MESFETs with Γ-gate and recessed p-buffer layer [J] . Hujun Jia, Hang Zhang, Ding Xing, Superlattices and microstructures . 2015,第SEPa期

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3. Improved multi-recessed 4H-SiC MESFETs with double-recessed p-buffer layer [J] . Jia Hujun, Zhang Hang, Luo Yehui, Materials science in semiconductor processing . 2015,第Null期

机译：具有双凹p缓冲层的改进的多凹4H-SiC MESFET
4. Drain-induced barrier lowering effect and its dependence on the channel doping in 4H-SiC MESFETs [C] . Chunlin Zhu, Rusli, Chin-Che Tin, . 2005

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5. Optimizing the Design of Partially and Fully Depleted MESFETs for Low Dropout Regulators. [D] . Lepkowski, William. 2010

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7. Improved Ultrahigh Upper Gate 4H-SiC MESFET with Serpentine Channel Structure [O] . Hu-jun JIA, Ye-hui LUO, Pei-miao MA 2017

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