首页> 外文OA文献 >Model etch profiles for ion energy distribution functions in an inductively coupled plasma reactor

【2h】

Model etch profiles for ion energy distribution functions in an inductively coupled plasma reactor

机译：电感耦合等离子体反应器中的离子能量分布函数的模型蚀刻轮廓

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Wenjing Chen; Barbara Abraham-Shrauner; Joseph R. Woodworth;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1999
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Chlorine plasma and polysilicon etch characterization in an inductively coupled plasma etch reactor [J] . Khater MH, Overzet LJ Plasma Sources Science & Technology . 2004,第3期

机译：电感耦合等离子体蚀刻反应器中氯等离子体和多晶硅蚀刻的表征
2. Electron energy distributions and electron impact source functions in Ar/N_2 inductively coupled plasmas using pulsed power [J] . Michael D. Logue, Mark J. Kushner Journal of Applied Physics . 2015,第4期

机译：使用脉冲功率在Ar / N_2电感耦合等离子体中的电子能量分布和电子冲击源功能
3. A hybrid model for low pressure inductively coupled plasmas combining a fluid model for electrons with a plasma-potential-dependent energy distribution and a fluid-Monte Carlo model for ions [J] . Mouchtouris S., Kokkoris G. Plasma Sources Science & Technology . 2016,第2期

机译：低压感应耦合等离子体的混合模型，结合了电子的流体模型和与等离子体势相关的能量分布以及离子的流体蒙特卡罗模型
4. Plasma reactor etch modeling using inductively coupled plasma spectroscopy diagnostic techniques [C] . Karl E. Mautz, Motorola, Austin, Process, Equipment, and Materials Control in Integrated Circuit Manufacturing III . 1997

机译：使用感应耦合等离子体光谱诊断技术的等离子体反应器蚀刻模型
5. Modeling and simulation of ion energy distribution functions and etch profiles in plasma etching [D] . Chen, Wenjing 1998

机译：等离子体蚀刻中离子能量分布函数和蚀刻轮廓的建模和仿真
6. Optimization of Mesa Etch for a Quasi-Vertical GaN Schottky Barrier Diode (SBD) by Inductively Coupled Plasma (ICP) and Device Characteristics [O] . Yue Sun, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, 2020

机译：通过电感耦合等离子体（ICP）和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管（SBD）的台面蚀刻
7. Influence of reactor wall conditions on etch processes in inductively coupled fluorocarbon plasmas [O] . Schaepkens, M Marc, Bosch, RCM Roeland, Standaert, TEFM, 1998

机译：反应器壁条件对感应耦合碳氟化合物等离子体中蚀刻工艺的影响
8. Model Etch Profiles for Ion Energy Distribution Functions in an Inductively Coupled Plasma Reactor;Journal of Applied Physics [R] . Abraham-Shrauner, B. , Chen, W. , Woodworth, J. R. 1998

机译：电感耦合等离子体反应器中离子能量分布函数的模型蚀刻剖面;应用物理学报

Model etch profiles for ion energy distribution functions in an inductively coupled plasma reactor

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅