机译:利用有缺陷因子调整方案的HTM空间排除器的突触的缺陷RRAM阵列,用于缺陷耐受性神经形式系统
机译:优化的编程方案,在神经形态系统的丝状HfO2 RRAM突触中实现线性增强
机译:通过采用混合脉冲方案进行神经形态计算的基于TiOx的具有64级电导和对称电导变化的RRAM突触
机译:基于RRAM的神经晶体系统的突触装置(第213 Vol 213,PG 421,2019)
机译:具有模式识别功能的基于RRAM的神经形态系统突触
机译:利用具有缺陷容忍性神经形态系统的升压因子调整方案的缺陷RRAM阵列作为HTM空间池的突触